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四通道恒流控制芯片-RM9001DA/DB

來源:亞成微電子 發布時間:2018-11-16 閱讀次數:

1.RM9001DA(DB)簡介

        RM9001DA是一款四通道恒流控制芯片,可以實現恒功率,低諧波(THD),芯片具有智能溫度保護功能(OTP),系統應用穩定,RM9001DA封裝形式:ESOP8。

        RM9001DB是在RM9001DA的基礎上改變封裝形式,目的是在多顆芯片并聯的時候,可以盡可能減少外圍的0R跳線電阻。RM9001DA可以應用在小功率的有諧波要求的方案上,成本較RM9001DB便宜,大功率投光燈方案建議使用RM9001DB-ESOP16方案,系統成本更低。

        芯片具有功率補償功能,可以實現高壓(180V-260V),低壓(90V-150V)輸入電壓變化時,功率保持恒定。
        芯片輸出電流為正弦電流波形,THD參數可以滿足IEC-61000-3-2(C級)要求。      
        芯片過溫保護點(130℃),表面溫度。
        封裝形式:RM9001DA - ESOP8,RM9001DB - ESOP16。

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2.RM9001DA原理圖

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注:單顆芯片建議功率最大做到15W(230Vin),更大功率方案可以采用多顆芯片并聯使用。


RM9001DB  ESOP16  減少0R跳線電阻設計


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注:RM9001DB   ESOP16  主要應用于投光燈項目,主要特點是可以完全不用跳線0R電阻,最大程度節約BOM成本,單顆芯片可以做到15W(230Vin)。


3.RM9001DA(DB)功率調整

  RM9001DA(DB)調整輸入功率僅僅通過調整一個電阻就可以,如圖中CS1.計算方法如下:

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OUT1~OUT4隨著輸入電壓升高,逐級開啟,系統各端口的電流如下:

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系統輸出的平均電流等于各個端口電流值的平均疊加,Vcp的取值范圍介于0.4V~4.2V,建議調整Vcp電壓到1.5V左右為最優的方案參數,保證功率恒定,2號腳位(VDD)連接電容主要作用是給芯片供電具體參數為(4.7uF/16V)-最優值。3號腳位(COMP)連接電容主要作用是調整In,也就是1號腳CS取樣電阻上的平均電流,具體參數為(220nF/16V)-最優值。


4.RM9001DA(DB)燈珠比例設置

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注:按照建議的燈珠比例設置可以獲得較好的光效和較高的功率因數,THD滿足C級諧波標準,因為不同客戶方案應用不相同,在表中給定的燈珠比例數量的情況下,為了布線方便可以根據實際情況適當調整每一段的燈珠顆數,不會對光效和功率因數及THD有大的影響,實際情況以測試數據為準。


5. RM9001DA(DB) 雷擊浪涌設計

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交流輸入端FR1(保險電阻),可以根據實際客戶要求,決定是否需要添加,主要目的是安規需要。

交流輸入端串聯的抗浪涌保護線繞電阻,如圖FR2,FR3,可以明顯改善抗雷擊浪涌,阻值越大,效果越明顯,但是電阻越大,功耗也越大。根據輸入電流,以計算,選取合適阻值和功率的抗浪涌保護線繞電阻,并留適當的裕量。

大功率應用時,如果要通過更高要求的浪涌電壓,可以采取使用兩級壓敏,如:前級使用14D471,后級使用10D471方案。

大功率投光燈方案,L N->PE也會有要求,線對殼體的耐壓測試主要考驗的是鋁基板的耐壓,對鋁基板的耐壓要求很高,如果要測試L N->PE,可以考慮使用高耐壓的鋁基板,或者考慮在殼體和鋁基板之間增加導熱硅膠墊。

大功率投光燈方案在抗雷擊能力和傳導(EMI)方面,LED及芯片的引腳銅箔面積增加會導致抗雷擊和傳導(EMI)數據變差,在線路板布板的時候,保證通過電流的情況下銅箔的寬度不要超過LED焊盤寬度,如下圖:

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 大功率投光燈應用時可以在芯片(RM9001DA)5號腳對地接一個高壓貼片電容(EC1),容量103/500V(or)1000V,可以提高IC的抗雷擊能力。                           

6. RM9001DA(DB) (10W-200W)方案應用參數

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7.RM9001DA(DB) 230V 15W 傳導測試數據

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RM9001DA(DB) 方案應用不需要添加任何外圍器件,傳導輻射可以通過,并且裕量很大。
 
 
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